日出记忆公司

日出记忆公司是一家私营半导体公司，由SanDisk创始人兼前首席执行官伊莱·哈拉里博士于2016年6月创立。该公司正在开发3D铁电RAM（FeRAM），旨在为人工智能、大型语言模型和高性能计算提供高容量、高带宽、低功耗的存储解决方案。其25人以上的工程团队分布在美国和以色列，公司表示已拥有180多项注册专利，另有许多专利正在申请中。 该公司的核心论点是，传统DRAM将难以跟上对内存需求巨大的AI工作负载在密度和功耗方面的要求。日出记忆将其铁电RAM设计为可在已掌握3D工艺流的高产量存储晶圆厂（如3D NAND晶圆厂）中制造。通过3D缩放，该公司旨在将存储位密度较DRAM提高10倍；通过在每个芯片上并行管理数百个独立存储体的系统架构，它期望在数据即时性方面实现显著提升。其铁电低电压存储单元还旨在显著降低能耗。 日出记忆由伊莱·哈拉里担任董事长兼首席执行官，理查德·切尔尼科夫担任首席财务官。该公司称其开发进程已过半，并旨在颠覆DRAM市场的高端领域，其将该市场描述为一个价值1000亿美元且预计将继续增长的市场。作为一家私营公司，它不披露详细的财务业绩或股票代码。

日出记忆公司由伊莱·哈拉里博士于2016年6月创立。哈拉里此前于1988年创立SanDisk公司，并担任其董事长兼首席执行官二十二年，直至2010年退休。哈拉里在预测到随着大规模数据库和大型语言模型等内存需求巨大的应用出现，DRAM将面临不可避免的缩放障碍后，创立了日出记忆。SanDisk于2016年以约180亿美元被收购。 该公司组建了一支来自行业领先公司和学术实验室的团队，在半导体存储领域累计拥有数百年的经验以及数百项基础新技术专利。到2024年，日出记忆已拥有25名以上工程师组成的团队，分布在美国和以色列，开发其首款3D铁电RAM。该公司从零开始设计其铁电RAM，使其可在已掌握3D工艺流的高产量存储晶圆厂（如3D NAND晶圆厂）中制造。 展望2026年及以后，日出记忆旨在通过3D缩放将存储位密度较DRAM提高10倍，并通过在每个芯片上并行管理数百个独立存储体的系统架构，在数据即时性方面实现显著提升。其铁电低电压存储单元旨在显著降低能耗。该公司表示，其创新已产生180多项注册专利，另有许多专利正在申请中，并称其开发进程已过半。它旨在颠覆一个价值1000亿美元且预计将继续增长的DRAM市场的高端领域。

• 2026

  旨在通过3D缩放将存储位密度较DRAM提高10倍。

• 2024

  美国和以色列的25人以上工程师团队正在开发首款3D铁电RAM。

• 2016

  日出记忆于2016年6月由伊莱·哈拉里创立。

开发3D铁电RAM，以高容量、高带宽和低功耗面向DRAM市场的高端领域，服务于人工智能。

• 3D铁电RAM（FeRAM）

  面向人工智能和高性能计算的高容量、高带宽、低功耗存储器，专为现有3D NAND晶圆厂设计。

1. 1SunRise Memory Corp. official websitesunrise3d.com
2. 2About SunRise Memory Corp.sunrise3d.com
3. 3SUNRISE MEMORY CORPORATION on Wikidatawikidata.org