浙江驰拓科技有限公司

浙江驰拓科技有限公司（驰拓科技）是一家中国半导体公司，成立于2016年，总部位于浙江省杭州市临安区青山湖科技城，并设有无锡分公司。公司专注于新型存储芯片及相关芯片的研发、生产和销售，面向物联网、人工智能、工业控制及汽车电子等领域提供半导体芯片和应用解决方案。 驰拓科技的核心技术是MRAM（磁阻随机存取存储器），一种非易失性存储技术。据其官网介绍，公司掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发了独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品，并可提供90/40/28nm等多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务。公司还强调其拥有可量产的12吋MRAM中试线。 公司表示致力于打造以新型存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈，推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展，为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。公司团队中硕博以上学历占比大于40%，建有国家级博士后工作站。核心团队由半导体技术和自旋电子学领域的资深管理和技术专家组成，专业领域涵盖器件与电路设计、先进制造工艺、器件与芯片测试以及应用开发等。 驰拓科技是一家私营企业。现有证据未详细披露其注册资本和股权结构。公司官网列出了前台电话、市场营运电话以及销售和人力资源邮箱等联系方式。官网显示公司成立于2016年，地址为杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号。网站版权信息标注为2020年，表明网站内容可能未及时更新，但公司似乎在半导体存储领域保持活跃。

浙江驰拓科技有限公司成立于2016年，总部位于中国浙江省杭州市临安区青山湖科技城，并设有无锡分公司。自成立以来，驰拓科技专注于新型存储芯片及相关芯片的研发、生产和销售，面向物联网、人工智能、工业控制及汽车电子等领域。 公司建有先进的新型存储芯片研发与产业化平台。据其官网介绍，公司掌握了MRAM设计、制造全套关键技术，成功开发了独立式存储芯片和嵌入式IP等系列产品，并可提供90/40/28nm等多个先进工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片、测试分析等全方位服务。公司还表示其拥有可量产的12吋MRAM中试线。 驰拓科技致力于打造以新型存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈，推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展，为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。其团队由半导体技术和自旋电子学领域的资深管理和技术专家组成，专业领域涵盖器件与电路设计、先进制造工艺、器件与芯片测试以及应用开发等。团队成员中硕博以上学历占比大于40%，并建有国家级博士后工作站。 公司官网提供了联系方式，包括前台电话（0571-58610199）、市场营运电话（0571-58610150）以及销售邮箱（sales@hikstor.com）和人力资源邮箱（hr@hikstor.com）。网站版权信息标注为2020年，表明网站内容可能未及时更新。现有证据未提供关于创始人、股权结构或融资的信息。

• 2016

  浙江驰拓科技有限公司成立。

• 公司在杭州临安青山湖科技城设立总部，并在无锡设立分公司。

• 建成可量产的12吋MRAM中试线。

• 掌握MRAM设计、制造全套关键技术，开发独立式存储芯片和嵌入式IP。

面向物联网、人工智能、工业控制和汽车电子领域的MRAM非易失存储芯片及相关半导体解决方案的开发与制造商。

• MRAM独立式存储芯片

  基于磁阻随机存取存储器技术的非易失性存储芯片。

• 嵌入式MRAM IP

  用于集成到系统级芯片设计中的嵌入式存储器知识产权核。

• eMRAM技术平台

  提供非易失、高性能、高可靠特性的嵌入式MRAM技术平台。

• 芯片设计与流片服务

  涵盖90/40/28nm工艺节点下的芯片设计、工艺研发、流片和测试分析等全方位服务。

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