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Soitec是一家法国跨国半导体材料公司，专注于为先进芯片提供工程化晶圆衬底。

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概览

Soitec是一家总部位于法国的跨国公司，开发并制造用于半导体生产的工程化衬底。其最著名的材料是绝缘体上硅，通常缩写为SOI，这是一种将薄硅层置于绝缘层之上的晶圆技术。与传统体硅相比，SOI可以减少漏电、提高能效、支持更高的运行性能，并简化某些先进集成电路的设计。Soitec的产品供应给半导体制造商和代工厂，而非作为成品消费产品直接销售。 该公司于1992年在格勒诺布尔附近由与CEA-Leti（法国微电子与纳米技术研究机构）相关的研究人员创立。其早期发展集中于Smart Cut技术，这是一种通过离子注入和分子键合将超薄晶体材料层从一片晶圆转移到另一片晶圆的工艺。这种方法使得SOI晶圆的大规模工业化生产成为可能。Soitec在伊泽尔省的贝尔宁建立了首批生产设施，并随着计算、通信及其他电子应用对衬底需求的增长而扩大了其工业足迹。 Soitec最初专注于电子领域，并逐步拓宽其技术组合。2003年收购了Picogiga International，增加了化合物半导体材料的专业知识；2006年收购了Tracit Technologies，加强了分子粘附和晶圆减薄方面的能力。这些举措支持了超越传统SOI的材料开发，如砷化镓和氮化镓，以及用于射频、功率、光电子和其他专业应用的技术。公司还开发了Smart Stacking技术，这是一种适用于图像传感器、射频元件和三维集成的晶圆到晶圆转移方法。 在2000年代末和2010年代初，Soitec进入了太阳能和照明领域。2009年收购Concentrix Solar使其获得了聚光光伏业务，而2011年收购Altatech Semiconductor则扩大了其半导体设备业务。Soitec在新加坡开设或运营了制造产能，并在圣地亚哥建立了聚光光伏组件生产。其太阳能研究生产了高效多结电池，但公司后来面临重要太阳能项目的取消或停止。2015年，它宣布战略性地重新聚焦于电子领域，并退出太阳能业务。这标志着集团业务范围大幅收窄至半导体材料。 电子业务组合随后围绕多种工程化衬底扩展。RF-SOI晶圆用于智能手机、无线基础设施和连接设备的射频电路。全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）支持低功耗和高性能集成电路，应用于消费电子、汽车系统、通信和物联网等领域。基于砷化镓和氮化镓等材料的化合物半导体衬底服务于高频、电源管理、LED、光学等应用。Smart Stacking技术为图像传感器和先进器件集成做出贡献。 Soitec与主要半导体公司和技术机构合作，推动这些平台的产业化。与GlobalFoundries、意法半导体、三星、CEA-Leti等业界参与者的关系和协议帮助支持了FD-SOI和RF-SOI制造生态系统的采用。公司还致力于碳化硅衬底产能，包括2022年宣布的Bernin 4设施建设。其制造、研究和商业网络覆盖法国、新加坡、美国、中国、韩国等。

沿革

Soitec于1992年在法国格勒诺布尔附近由两位来自CEA-Leti的研究人员创立。公司成立是为了将Smart Cut技术产业化，这是一种通过与CEA-Leti相关的研究开发的晶圆工程工艺，涉及在衬底之间转移薄晶体层。该技术成为商用绝缘体上硅晶圆的基础，最初旨在提高计算和电子领域的半导体性能。 公司在1990年代转向工业规模生产。1997年与信越半导体达成的Smart Cut许可协议支持了大规模生产，而Soitec在贝尔宁建立了首个主要制造基地。公司于1999年进行了首次公开募股。2002年启用的Bernin 2专门用于300毫米晶圆，反映了半导体行业向更大晶圆尺寸的迁移以及Soitec供应高产量芯片制造的雄心。 Soitec通过收购拓宽了其技术基础。2003年收购了Picogiga International，增加了III-V族化合物材料的专业知识。2006年收购了Tracit Technologies，带来了分子粘附和机械化学减薄的能力。这些收购帮助公司将晶圆转移和衬底专业知识应用于标准SOI之外的材料和应用。2008年，Soitec在新加坡开设了一个生产单元，并发展了与晶圆回收和后来的FD-SOI制备相关的业务。 在2000年代末，Soitec进入了太阳能和照明领域。2009年收购Concentrix Solar使公司获得了聚光光伏系统业务。Soitec随后在圣地亚哥开发了CPV制造能力，并在包括南非在内的多个市场追求项目。公司还投资于多结太阳能电池研究，并于2014年报告了高效电池结果。然而，太阳能业务受到重要项目停止的影响，2015年Soitec宣布退出太阳能并重新聚焦电子领域。这一决定使公司回归到更集中的半导体材料战略。 电子业务围绕几个相关平台发展。Soitec为处理器和其他集成电路提供SOI衬底，而RF-SOI成为移动通信和无线连接中射频元件的重要材料。FD-SOI源于Soitec、意法半导体和CEA-Leti的合作，随后被GlobalFoundries和三星的制造生态系统采用。Soitec进入了与28纳米及后续FD-SOI平台相关的供应和技术关系，并于2016年扩大了300毫米RF-SOI晶圆的批量生产。 公司继续投资于化合物半导体和集成技术。它签署了关于氮化镓晶圆开发的协议，于2019年收购了EpiGaN，并支持高频通信、功率电子、LED、光学系统和基础设施中的应用。Smart Stacking技术能够将已处理或部分处理的晶圆转移到其他衬底上，并定位于图像传感器、射频器件和三维集成。Soitec还参与了汽车、物联网、数据中心、工业和医疗电子衬底的开发。 2018年，Soitec和MBDA收购了Dolphin Integration的资产，这是一家工程和半导体设计公司。2022年，Soitec开始建设Bernin 4，一个旨在支持碳化硅晶圆生产的设施。纵观其历史，公司保持了国际制造、研究和商业存在，同时总部设在法国。其在半导体价值链中的核心角色是上游：供应芯片制造商加工成成品半导体器件的工程化晶圆和相关材料。

  • 2022

    Bernin 4建设开始

    [1]

    Soitec开始建设一座旨在生产碳化硅晶圆的贝尔宁工厂。

  • 2019

    收购EpiGaN

    [1]

    Soitec收购EpiGaN，巩固了其在氮化镓和化合物半导体技术中的地位。

  • 2018

    收购Dolphin Integration资产

    [1]

    Soitec和MBDA收购了Dolphin Integration的资产。

  • 2016

    300毫米RF-SOI批量生产开始

    [1]

    Soitec开始批量生产用于射频半导体应用的300毫米RF-SOI晶圆。

  • 2015

    战略回归核心电子业务

    [1]

    Soitec宣布退出太阳能，并重新聚焦于电子领域的半导体材料。

  • 2012

    宣布FD-SOI采购协议

    [1]

    GlobalFoundries和意法半导体宣布涉及28纳米和20纳米FD-SOI器件的安排。

  • 2011

    收购Altatech Semiconductor

    [1]

    此次收购为Soitec的产品组合增加了半导体设备开发能力。

  • 2009

    进入聚光光伏领域

    [1]

    Soitec收购Concentrix Solar，以聚光光伏系统进入太阳能市场。

  • 2006

    收购Tracit Technologies

    [1]

    Soitec增加了分子粘附和晶圆减薄方面的专业知识，以拓宽Smart Cut应用。

  • 2003

    收购Picogiga International

    [1]

    此次收购将Soitec的能力扩展到III-V族化合物半导体材料。

产品与定位

一家专业的半导体材料供应商，通过工程化晶圆衬底帮助芯片制造商提高能效、射频性能、集成密度和器件功能。

  • 工程化半导体衬底 · 1992

    绝缘体上硅晶圆

    SOI晶圆由薄硅层和支撑衬底之间的绝缘层组成。半导体制造商将这些晶圆加工成用于计算、通信、汽车电子、服务器等应用的集成电路。与体硅相比，绝缘结构可以减少寄生电容和漏电，帮助设计者在性能、功耗和集成需求之间取得平衡。

  • 射频半导体衬底 · 2001

    RF-SOI晶圆

    RF-SOI衬底专为用于手机、无线连接、基础设施网络及相关通信设备的射频电路而设计。该平台通过结合电气隔离与高产量硅制造的兼容性，支持开关、天线调谐组件和其他射频功能。Soitec于2016年开始批量生产300毫米RF-SOI晶圆。

  • 低功耗逻辑衬底 · 2012

    FD-SOI晶圆

    全耗尽绝缘体上硅衬底支持专为低功耗和高效性能设计的集成电路。该技术通过Soitec、意法半导体和CEA-Leti的合作开发，并已被GlobalFoundries和三星的制造平台采用。目标应用包括连接设备、消费电子、汽车系统和通信设备。

  • III-V族和氮化镓衬底 · 2003

    化合物半导体晶圆

    Soitec生产和开发基于砷化镓和氮化镓等化合物材料的衬底。这些材料用于高频通信、卫星和光纤系统、雷达、电源管理、LED和其他光电子应用。该产品组合反映了公司从硅扩展到其电气和光学特性适合专业半导体器件的材料。

  • 晶圆堆叠和集成技术

    Smart Stacking技术

    Smart Stacking将完全或部分处理的晶圆转移到另一个衬底上。它可用于150至300毫米的晶圆直径，以及硅、玻璃和蓝宝石等衬底。应用包括背照式图像传感器、射频电路和新兴的三维集成方案，其中堆叠可以提高器件性能或减少外形限制。

  • 功率半导体衬底 · 2022

    碳化硅衬底

    碳化硅衬底用于功率和高温半导体应用，包括需要高效管理电能的系统。Soitec于2022年开始建设Bernin 4工厂，以开发该材料的制造能力。该工厂代表了公司工程化衬底战略向功率电子材料的延伸。

品牌决策

  • 2022

    扩展至碳化硅晶圆生产战略

    背景

    功率半导体材料的需求为Soitec提供了将其衬底专业知识扩展到既有SOI和化合物半导体产品线之外的机会。

    采取的行动

    Soitec开始建设Bernin 4工厂，旨在生产碳化硅晶圆。

    后续影响

    该项目拓宽了公司向功率电子领域的制造路线图，同时保留了其法国工业基地。

    来源

  • 2015

    退出太阳能业务并重新聚焦电子领域战略

    背景

    Soitec的聚光光伏业务受到重要太阳能项目停止的影响，而半导体材料业务仍是其长期定位的核心。

    采取的行动

    公司宣布向电子领域战略转移，并计划退出太阳能市场。

    后续影响

    Soitec将其运营和投资集中于SOI、RF-SOI、FD-SOI、化合物半导体及相关工程化衬底技术。

    来源

近期事件

  • 2022

    Soitec开始建设Bernin 4碳化硅工厂[1]

    产品换代 · 其他

    Soitec开始建设一座Bernin工厂，旨在扩大其碳化硅晶圆能力，生产计划在稍后阶段进行。

  • 2015

    Soitec宣布战略聚焦电子领域，计划退出太阳能业务[1]

    其他

    在重要太阳能项目被停止或推迟后，Soitec将其战略转向核心半导体材料业务，并开始退出太阳能活动。

来源8 个来源

  1. 1Soitecen.wikipedia.org
  2. 2Soitec acquires NOVASiC to aid industrialization of SmartSiC for automotive and industrial marketssemiconductor-today.com
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  6. 6SOITEC: Soitec wins two awards for its employee share ownership schemesfinanznachrichten.de
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