株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー（简称NFT）是一家日本公司，成立于2002年8月1日，继承了东芝机械株式会社的半导体装置事业。该公司由株式会社东芝100%持股。其业务以半导体制造装置为核心，尤其是电子束掩模描绘装置和掩模检查装置，并在美国、韩国、台湾和德国设有海外据点。

1976年12月，以电子束掩模描绘装置为中心的半导体制造装置事业的技术从株式会社东芝移交给东芝机械株式会社。1979年4月，电子束掩模描绘装置获得日刊工业新闻社的“十大新产品奖”。1983年9月，与株式会社东芝共同开发的掩模检查装置初号机“APC-130 R”在东芝开始运行。1984年6月，与株式会社东芝综合研究所共同完成Variable Shaped Beam（可变成形束）型初号机电子束掩模描绘装置“EBM-130V”。1989年3月，与东芝开发了“APC-130 R”的全面改型装置“APC-160”，并在东芝运行。1992年6月，与株式会社东芝共同开发高速旋转型单片式外延生长装置HT-2000（碳加热方式），成为日本首台单片式设备。1994年，大幅重新审视光学系统并提高检查性能的“MC-100”与东芝共同开发，并在东芝运行。1994年12月，开发并产品化外延生长装置HT2000B。1995年12月，获得机械振兴协会奖。1997年，能够进行透射和反射检查的“MC-2000”与东芝共同开发，并在东芝运行。1998年12月，通过与株式会社东芝的共同项目，开发并产品化Variable Shaped Beam（可变成形束）型电子束掩模描绘装置“EBM-3000”。作为商用机是初号机，支持电路线宽180nm-150nm。1999年12月，首次搭载光源波长257nm激光的“MC-3000”与东芝共同开发，并在东芝运行。2002年6月，支持电路线宽90nm的电子束掩模描绘装置“EBM-4000”开发并产品化（至此为东芝机械株式会社半导体装置事业部）。2002年6月，支持12英寸晶圆的Si外延生长装置HT3000开发并产品化。2002年8月，株式会社ニューフレアテクノロジー全面继承东芝机械株式会社半导体装置事业部的事业，开始业务。2002年12月，作为株式会社ニューフレアテクノロジー首次参加“Semicon Japan 2002”。2003年2月，为扩大制造设备而扩建洁净室。2003年4月，与东芝机械株式会社的美国当地法人TOSHIBA MACHINE COMPANY, AMERICA签订开发委托合同，新设“USA Satellite”办公室。2003年11月，在横滨开设研究开发据点“横滨Satellite”办公室（2004年10月将营业部门迁至横滨Satellite）。2003年12月，“MC-3000”的小改型装置“MC-3500”与东芝共同开发，并在东芝运行。2004年9月，支持电子电路线宽65nm的“EBM-5000”开发并产品化。2004年11月，因开发“邻近效应校正技术”，获得株式会社Ohmsha创立90周年纪念特别奖“电气科学技术奖励奖”。2006年，世界上首次采用光源波长199nm激光的“NT-5000(199)”与AMiT共同开发，并在DTF运行。2006年6月，决定将掩模检查装置事业商业化。2007年3月，作为掩模检查装置事业、描绘装置事业开发的核心据点，开设横滨事业所。2007年4月，在株式会社JASDAQ证券交易所上市。2007年10月，将总部迁至神奈川县横滨市港北区新横滨三丁目2番地6。2008年2月，开发并产品化EBM-6000PLUS（用于双重图案化研究开发）。2008年3月，开发并商品化EBM-7000（支持hp32nm）。2009年1月，基于“NT-5000(199)”开发量产的“NPI-6000”，其初号机作为检查装置BU首次销售给海外制造商，奠定海外拓展基础。2009年3月，设立韩国当地法人。2010年4月，随着JASDAQ证券交易所与大阪证券交易所合并，转移至大阪证券交易所JASDAQ……

通过半导体制造装置，为半导体产业以及人类和社会做贡献的企业。

• MBM™-4000

  支持A14节点世代的多电子束掩模描绘装置。

• EBM-130V

  1984年完成的首台Variable Shaped Beam电子束掩模描绘装置。

• EBM-3000

  1998年开发并产品化的Variable Shaped Beam电子束掩模描绘装置，作为商用机是初号机，支持电路线宽180nm-150nm。

• EBM-4000

  2002年开发并产品化的支持电路线宽90nm的电子束掩模描绘装置。

• EBM-5000

  2004年开发并产品化的支持电子电路线宽65nm的电子束掩模描绘装置。

• EBM-6000PLUS

  2008年开发并产品化，用于双重图案化研究开发。

• EBM-7000

  2008年开发并商品化，支持hp32nm。

• APC-130 R

  与株式会社东芝共同开发的掩模检查装置初号机，1983年开始运行。

• APC-160

  APC-130 R的全面改型装置，与东芝共同开发，1989年开始运行。

• MC-100

  大幅重新审视光学系统并提高检查性能的检查装置，与东芝共同开发，1994年开始运行。

• MC-2000

  能够进行透射和反射检查的检查装置，与东芝共同开发，1997年开始运行。

• MC-3000

  首次搭载光源波长257nm激光的检查装置，与东芝共同开发，1999年开始运行。

• MC-3500

  MC-3000的小改型装置，与东芝共同开发，2003年开始运行。

• NT-5000(199)

  2006年与AMiT共同开发，世界上首次采用光源波长199nm激光，在DTF运行。

• NPI-6000

  2009年基于NT-5000(199)量产化；其初号机销售给海外制造商。

• HT-2000

  1992年与株式会社东芝共同开发的高速旋转型单片式外延生长装置（碳加热方式），为日本首台单片式设备。

• HT2000B

  1994年开发并产品化的外延生长装置。

• HT3000

  2002年开发并产品化的支持12英寸晶圆的Si外延生长装置。

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