氮化物半导体株式会社
日本紫外LED先驱企业，2000年实现全球首次紫外LED量产，供应GaN晶圆、紫外LED芯片、灯珠、模组及深紫外系统。
最近更新 2026年9月27日
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概览
氮化物半导体株式会社（ナイトライド・セミコンダクター株式会社）是一家总部位于日本德岛县鸣门市的半导体企业，专注于紫外发光二极管（UV-LED）及相关晶体生长技术。公司自称为紫外LED的先驱，表示于2000年成功实现全球首次紫外LED量产。其核心竞争力是晶体生长技术，支撑起涵盖GaN晶圆（n-GaN、p-GaN、u-GaN）、紫外LED晶圆与裸芯片、微型紫外LED、LED灯珠、大功率表面贴装（SMD）器件、深紫外LED SMD与COB单元，以及淋浴箱、投光灯、手电筒、荧光灯型紫外灯、照射器、大功率微型照射器和3D limelight等成品紫外照射系统的产品组合。公司还提供定制产品。 氮化物半导体的产品应用于传感器、树脂固化、光催化、显示与照明以及杀菌消毒等领域。例如其UV-LED Power SMD产品采用大面积芯片，面向曝光光源及树脂、油墨固化等需要高功率紫外线的用途，提供365nm、385nm、395nm、405nm等波长；其紫外LED裸芯片覆盖约355–375nm波长。公司还研发了采用光子晶体的微型紫外LED以及微型紫外LED显示器，体现出面向下一代显示与光子学应用的研发导向。 公司由代表董事（社长）村本宜彦领导，他同时撰写公司的“Nitride Story”（NS Story）专栏。在其领导下，公司获得多项认可，包括入选“Top UV-LEDs Manufacturer in APAC 2026”，村本本人也入选CEO Insights Asia的“Top 10 Leaders From Semiconductors Japan”。氮化物半导体是一家技术驱动的专业供应商，而非面向大众市场的消费品牌，定位为紫外LED先驱及面向日本及海外工业与科研客户的晶体生长核心技术提供者。
沿革
氮化物半导体株式会社于2000年在日本德岛县鸣门市成立，并于同年实现了其所述的全球首次紫外LED量产。这一创立之初的成就奠定了公司作为紫外LED领域先驱的地位。自成立以来，公司的核心技术一直是晶体生长，并以此为基础持续发展其GaN晶圆与紫外LED产品线。 在随后的数十年中，氮化物半导体构建了从材料到成品系统的完整产品组合。公司供应n-GaN、p-GaN、u-GaN等类型的GaN晶圆、紫外LED晶圆与裸芯片、微型紫外LED、LED灯珠、大功率表面贴装（SMD）模组、深紫外LED SMD与COB单元，以及淋浴箱、投光灯、手电筒、荧光灯型紫外灯、照射器、大功率微型照射器和3D limelight等成品紫外照射设备。公司还提供定制产品，并持续投入研发，延伸至采用光子晶体的微型紫外LED和微型紫外LED显示器等前沿领域。 公司历史上获得过多项技术奖项，并将其作为技术实力的证明。其代表董事村本宜彦长期领导公司，并在半导体行业获得公开认可：2025年12月他入选CEO Insights Asia的Top 10 Leaders From Semiconductors Japan，2026年7月公司入选Top UV-LEDs Manufacturer in APAC 2026。2026年3月，村本在伦敦OPTICS2026上发表题为“Micro Ultraviolet LED with Photonic Crystal”的主题演讲，显示公司持续重视基于光子晶体的微型紫外LED研究。公司通过官网、产品目录、紫外LED应用的技术说明以及由社长撰写的“Nitride Story”（NS Story）专栏与客户及公众沟通。
- 2026
村本社长在伦敦OPTICS2026上发表关于光子晶体微型紫外LED的主题演讲（2026年3月）。
- 2026
公司入选Top UV-LEDs Manufacturer in APAC 2026（2026年7月）。
- 2025
代表董事村本宜彦入选CEO Insights Asia Top 10 Leaders From Semiconductors Japan（2025年12月）。
- 2000
公司在日本鸣门市成立；实现全球首次紫外LED量产。
产品与定位
面向工业、科研与消毒应用的紫外LED先驱及晶体生长技术专业供应商。
紫外LED Power SMD NSxxxL-3SLG
表面贴装大功率紫外LED，尺寸3.5 x 3.5 x 1.1 mm，指向角115度，波长365/385/395/405 nm，搭载1.4 mm方形芯片。
紫外LED Power SMD NSxxxL-3SLR
表面贴装大功率紫外LED，尺寸3.5 x 3.5 x 2.5 mm，指向角65度，波长365/385/395/405 nm，搭载1.4 mm方形芯片并带硬质玻璃透镜。
紫外LED裸芯片 NS355/360C-2SAA、NS365/370-2SAA、NS375C-2SAA
波长约355–375 nm的紫外LED裸芯片，尺寸280 x 280 µm，按光输出分档。
GaN晶圆（n-GaN、p-GaN、u-GaN）
提供n型、p型及未掺杂类型的氮化镓晶圆。
深紫外LED SMD / COB单元
用于杀菌及相关应用的深紫外LED表面贴装与板上芯片（COB）单元。
紫外LED淋浴箱
以淋浴箱形式提供的成品紫外LED杀菌产品。
来源5 个来源
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