美光日本
日本内存半导体公司，前身为尔必达内存，现以美光日本名义运营。
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概览
美光日本是美光科技旗下的日本半导体子公司，也是尔必达内存的企业继承者。尔必达成立于1999年，由NEC和日立的DRAM业务合并而成，当时日本半导体产业正面临来自韩国、美国和台湾制造商的激烈竞争，正在进行重组。新公司最初以NEC日立内存的名义运营，2000年更名为尔必达。其业务集中于动态随机存取存储器（DRAM）的开发、设计、制造和销售，同时也包括半导体代工及相关技术活动。 公司在2000年代初期扩大了产业基础。2001年开始在日本进行商业销售，并建设了300毫米晶圆厂，这是一项重要投资，因为更大的晶圆可以提高制造效率并降低每颗芯片的成本。2003年，尔必达吸收了三菱电机的DRAM业务，并将三菱的工程师和技术能力纳入公司。次年，公司在东京证券交易所一部上市。2006年，尔必达还成立了秋田尔必达，以支持先进后端工艺开发。 尔必达在高度周期性的内存市场竞争，当产能超过需求时，价格可能迅速下跌。公司开发了多代传统和移动DRAM，包括DDR2、DDR3以及后来的DDR4相关产品。它还致力于为移动设备开发低功耗内存，以及为计算和消费电子产品开发高密度产品。2010年，它宣布了一款采用40纳米工艺制造的四吉比特DDR3器件，旨在支持常规和低电压操作。2011年，它宣布开始提供25纳米DRAM样品，反映了行业向更小工艺几何尺寸和更高密度不断进军的趋势。 全球金融危机后，财务压力加剧。尔必达在2009年获得了政府和银行的支持，但仍然面临日元升值、个人电脑需求疲软、DRAM价格下跌以及泰国洪水导致的供应链中断。由此导致的内存价格暴跌削弱了公司的资产负债表。尔必达于2012年2月27日申请破产保护，报告负债约4480亿日元，其股票于同年3月28日从东京证券交易所退市。东京法院和债权人于2013年批准了美光科技的收购，尔必达于2013年7月31日成为美光全资子公司。 2014年2月28日，尔必达内存更名为美光日本，秋田尔必达更名为美光秋田。这一变更将原尔必达组织整合到美光的全球内存制造和技术网络中。美光在日本的业务随后专注于DRAM研究、工艺开发、制造、销售以及相关的测试和封装能力。广岛基地成为开发用于智能手机和其他移动应用的低功耗DRAM的重要基地，合格的工艺可能转移到美光其他工厂。 因此，规范实体是美光的持续子公司，而不是独立的尔必达品牌公司。尔必达这个名字在日本DRAM行业中仍具有历史意义，但公司身份、所有权和运营已并入美光日本和更广泛的美光科技集团。
沿革
美光日本的公司历史可追溯至1999年，当时NEC和日立合并其DRAM业务，创建了NEC日立内存。该合资企业是日本半导体行业更广泛重组的一部分，参与公司将其DRAM业务与其他半导体业务分离。2000年，公司采用尔必达名称，并开始开发DRAM产品。 尔必达于2001年开始国内销售，并投资建设300毫米晶圆厂。此举反映了DRAM行业的资本密集性，其中制造规模、工艺缩小、良率提升和晶圆生产率对竞争力影响很大。2002年，该公司与美国对涉嫌国际DRAM价格操纵的调查有关。尔必达后来被报道为在该阴谋中认罪的制造商之一，使其成为其历史上重要的监管和声誉事件。 2003年，尔必达接管了三菱电机的DRAM业务，包括开发人员。2004年在东京证券交易所一部上市。2006年，公司成立了秋田尔必达，以开发先进后端技术。在此期间，尔必达将其产品工作扩展到DDR内存世代、移动内存和其他DRAM类别。它还追求更小的工艺几何尺寸和低功耗设计，用于移动和消费应用。 全球金融危机和随后的内存市场低迷使尔必达面临严重的财务压力。公司在2009年获得了政府和银行的支持。2010年，它向金士顿科技出售了股份，并宣布了一款采用40纳米工艺制造的四吉比特DDR3 SDRAM器件。该产品旨在降低功耗，并支持常规和低电压操作。2011年，尔必达宣布了一项融资计划，并报告已开始提供25纳米DRAM样品。 尽管有这些技术努力，但业务受到日元升值、个人电脑需求疲软、内存供应过剩以及DRAM价格急剧下跌的损害。泰国洪水后计算机生产中断加剧了困难的市场环境。尔必达于2012年2月27日申请破产。其报告负债约4480亿日元，其股票于2012年3月28日从东京证券交易所退市。 美光科技在与债权人和法院程序谈判后成为批准的买家。收购于2013年7月31日完成，使尔必达成为美光的全资子公司。2014年2月28日，公司更名为美光日本，秋田尔必达更名为美光秋田。此后，原尔必达业务在美光的全球制造和技术系统内运营，而不是作为独立的上市DRAM公司。 美光在日本的网络包括设计、销售、制造和技术开发活动。广岛对于低功耗DRAM开发尤为重要，在那里开发的工艺在满足性能、良率、质量、成本和周期时间要求后，可能转移到其他制造地点。2017年，美光通过涉及Power Technology Inc.和Tera Probe的交易，重组了其在日本的部分测试和组装业务。最近日本政府对美光广岛投资的支持，包括2022年和2023年宣布的援助，反映了先进内存制造对日本半导体政策的重要性。当前规范实体是美光日本，而尔必达内存是其前公司身份。
- 2023
计划在广岛扩展EUV
[1]美光宣布计划在政府支持下，在其广岛基地投资极紫外技术。
- 2022
日本对广岛内存开发的补贴
[1]日本为美光在广岛工厂的先进内存开发提供政府支持。
- 2014
公司更名
[1]尔必达内存更名为美光日本，秋田尔必达更名为美光秋田。
- 2013
被美光科技收购
[1]美光科技完成对尔必达的收购，使其成为全资子公司。
- 2012
破产和退市
[1]尔必达于2月申请破产，并于3月从东京证券交易所退市。
- 2010
四吉比特DDR3发布
[1]尔必达宣布了一款40纳米四吉比特DDR3 SDRAM器件，具有低功耗操作选项。
- 2006
秋田尔必达成立
[1]公司成立了专注于先进后端工艺开发的秋田业务。
- 2004
东京证券交易所上市
[1]尔必达在东京证券交易所一部上市。
- 2003
吸收三菱DRAM业务
[1]尔必达接管三菱电机的DRAM业务及相关工程资源。
- 2001
国内销售开始
[1]尔必达在日本开始销售业务，并推进300毫米晶圆厂的建设。
产品与定位
历史上，尔必达将自己定位为日本专业的DRAM制造商，强调高密度内存、先进工艺技术和低功耗产品。在美光旗下，日本业务定位为全球内存半导体业务中的研发、制造和技术转让平台。
DRAM
DDR2 SDRAM
早期一代双倍数据速率同步DRAM，在尔必达向主流计算和电子产品市场扩张期间开发和销售。
DRAM · 2010
DDR3 SDRAM
尔必达面向计算机和嵌入式系统的主要产品系列。2010年，公司宣布了一款采用40纳米工艺的四吉比特DDR3器件，支持标准和低电压操作。
DRAM
DDR4 SDRAM
与尔必达产品线相关的一代DRAM系列，后来成为更广泛美光内存产品组合的一部分。
移动内存
移动DRAM
为智能手机和其他移动设备设计的低功耗内存。这类产品的开发在美光日本广岛业务中变得尤为重要。
图形内存
图形DRAM
用于图形和高带宽应用的DRAM，包括与更广泛美光和尔必达内存产品线相关的GDDR世代产品。
专用DRAM
XDR DRAM
一种专用高速DRAM类别，包含在公司历史内存产品组合中。
争议事件
品牌决策
2017
重组日本测试和组装活动并购背景
美光审查了其日本网络内测试、探测、组装和封装能力的组织。
采取的行动
美光与Power Technology Inc.就涉及美光秋田和Tera Probe多数股权的交易达成协议。
后续影响
测试和组装能力在广岛、台湾和转移后的日本业务之间进行了重组。
2014
整合和更名日本业务战略背景
美光在完成收购后重组了被收购的尔必达组织。
采取的行动
尔必达内存更名为美光日本，秋田尔必达更名为美光秋田。
后续影响
尔必达公司身份不再是日本子公司的运营名称，尽管该业务的历史技术和设施继续在美光内部存在。
2013
被美光科技收购并购背景
破产程序后，债权人和东京法院考虑了美光科技收购该公司的提议。
采取的行动
美光于2013年7月31日完成收购，使尔必达成为全资子公司。
后续影响
原尔必达业务被整合到美光的全球内存业务中，后来更名为美光日本。
2012
申请破产保护其他背景
尔必达面临严重的DRAM低迷、日元升值、个人电脑需求疲软和供应链中断，导致内存价格急剧下跌。
采取的行动
公司于2012年2月27日申请破产保护。
后续影响
尔必达从东京证券交易所退市，随后被美光科技收购。
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