长鑫存储技术有限公司

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中国半导体制造商，专注于动态随机存取存储器（DRAM）。

最近更新 2026年10月30日

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概览

长鑫存储技术有限公司，通常称为CXMT，是一家中国半导体集成器件制造商，总部位于安徽合肥。公司专注于动态随机存取存储器（DRAM）的研究、开发、制造和商业化，DRAM是一种用于个人电脑、服务器、移动设备、嵌入式系统和其他电子设备中的易失性存储器。其产品组合包括DDR和低功耗LPDDR系列，公司正逐步从早期的DDR4和LPDDR4产品向DDR5、LPDDR5和LPDDR5X器件及相关内存模块过渡。该公司于2016年成立，是中国建立国内存储芯片产业、与三星电子、SK海力士和美光科技竞争的努力的一部分。它最初以Innotron的名义运营，并在合肥建设了一座大型12英寸晶圆制造厂。2017年期间进行了建设和设备安装，随后据报道于2018年开始试产19纳米LPDDR4内存。公司后来更名为长鑫存储技术有限公司。到2019年底，它报告其第一座晶圆厂已投产，采用19纳米工艺制造8GB LPDDR4和DDR4 DRAM。 CXMT的战略重要性既反映了全球内存市场的规模，也反映了中国对进口内存半导体的依赖。公司的扩张得到了区域和国家投资工具的支持，据报道与合肥相关的投资者持有大量合并权益。其运营已从最初每月约2万片晶圆的产量扩大到更大的生产规模。参考资料描述了在北京和合肥运营的三座12英寸DRAM晶圆厂，并报告到2025年底每季度产量达到约72万片晶圆。市场份额估计因来源和时期而异，但CXMT被描述为中国最大的DRAM生产商，也是全球领先的新兴DRAM供应商之一。公司已将其技术雄心扩展到传统商品DRAM之外。它推出了DDR5产品，开发了LPDDR5和LPDDR5X产品，并投资于用于人工智能处理器的高带宽内存（HBM）。其既定发展方向包括改进工艺技术、增加晶圆产能、扩展产品世代以及建立先进封装能力。这些努力使CXMT置身于中国构建更自给自足的半导体供应链的更广泛努力之中。 CXMT也成为中美之间技术和国家安全争端的一部分。根据2023财年《国防授权法》的一项条款，美国联邦政府被禁止采购或使用CXMT芯片。据报道，美国当局已考虑额外限制，根据提供的参考资料，该公司被列入美国国防部的中国军事关联公司名单。另外，2023年，前三星员工因涉嫌窃取DRAM商业机密在韩国被捕。报道将一些涉嫌招聘和技术转让活动与CXMT联系起来，尽管参考资料中描述的指控尚未针对该公司得到证实。 CXMT历来是私营公司。提供的参考资料描述了拟议的上海科创板上市，旨在为生产线升级、先进DRAM技术开发和长期研究提供资金。由于上市细节和相关财务数据具有时效性，除非得到当前公司和监管文件的确认，否则应将其与公司既定的私营公司地位区分开来。总体而言，CXMT被定位为一家具有战略重要性的中国内存制造商，致力于缩小技术和规模差距。

沿革

长鑫存储技术有限公司成立于2016年，当时中国正寻求发展国内内存半导体产业。与福建晋华集成电路和西安紫光国芯半导体一起，该公司是旨在挑战三星电子、SK海力士和美光科技在DRAM领域主导地位的一组项目的一部分。它最初名为Innotron，总部位于安徽合肥。 2017年，宣布了一项大型12英寸晶圆制造设施的投资计划。建设于当年年中左右完成，生产设备于2017年晚些时候安装。最初的开发计划考虑在2018年试生产，2019年量产。2018年，据报道该公司开始使用19纳米工艺试产8GB LPDDR4内存。其早期产能约为每月2万片晶圆，与老牌全球DRAM公司的产量相比相形见绌，但对于一家新的中国生产商来说意义重大。在早期发展过程中，公司面临内存行业新进入者典型的技术和商业障碍。分析师对专利所有权、工艺专有技术和知识产权获取提出了质疑。该公司还在中美之间日益增长的贸易和技术紧张局势中运营。2018年，据报道首席执行官朱一明访问了ASML讨论光刻设备，反映了先进制造工具对公司发展的重要性。该公司于2019年从Innotron更名为长鑫存储技术有限公司。那一年，有报道称它调整了其设计的某些方面，以减少与中美贸易冲突相关的潜在技术制裁风险。在参考资料引用的一次2019年12月采访中，该公司表示其第一座晶圆厂以每月约2万片晶圆的产能运营，采用19纳米工艺生产8GB LPDDR4和DDR4 DRAM。 CXMT随后扩大了其产品和制造基础。到2020年，它采用19纳米工艺制造LPDDR4和DDR4内存。其产品范围后来扩大到包括DDR4模块、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5和LPDDR5X。公司还追求工艺世代和制造规模的改进。参考资料描述了位于北京和合肥的三座12英寸DRAM工厂，并报告到2025年底每季度产量约为72万片晶圆。为2025年提供的市场份额估计将CXMT置于第二季度全球DRAM市场约4%和第一季度全球产量约6%的水平，尽管这些数字取决于方法和报告期。该公司在2025年初左右开始销售DDR5 SDRAM，并于当年晚些时候公开推出了更新的DDR5产品。它还投资了HBM，这是一种高性能DRAM技术，与处理器一起用于人工智能和其他数据密集型系统。据报道，在上海建立HBM后端封装能力的计划表明CXMT试图参与更高价值的内存细分市场，而不是仅专注于传统的PC和移动DRAM。 CXMT的所有权涉及多个投资实体，包括与合肥和中国半导体产业发展计划相关的基金。提供的参考资料描述了拟议的上海科创板发行，旨在为晶圆线技术升级、DRAM技术升级和前瞻性研发筹集资金。它还描述了拟议发行的监管批准和随后的交易首秀，但这些事件具有时效性，在将其视为已确定的公司历史之前，需要根据当前的交易所和监管记录进行验证。 CXMT的增长恰逢地缘政治审查加剧。美国立法限制了联邦采购其芯片，而美国机构据报道考虑采取更广泛的措施。根据提供的材料，该公司还被列入美国国防部的中国军事关联公司名单。在另一起争议中，前三星员工于2023年因涉嫌窃取DRAM商业机密被捕，报道将一些涉嫌活动与CXMT联系起来。现有参考资料指出，这些指控尚未针对该公司得到证实。因此，CXMT占据了一个独特的地位：它既是中国半导体战略中的重大工业项目，也是一个在巨大技术、监管和地缘政治压力下运营的新竞争者。

2025
推出DDR5产品
[1]ChangXin Memory Technologies - Wikipediaen.wikipedia.org
CXMT扩展至DDR5 DRAM，并准备对先进DRAM生产和研究进行额外投资。
2022
美国联邦采购限制
[1]ChangXin Memory Technologies - Wikipediaen.wikipedia.org
2023财年《国防授权法》限制了美国联邦采购和使用CXMT芯片。
2020
LPDDR4和DDR4制造确立
[1]ChangXin Memory Technologies - Wikipediaen.wikipedia.org
参考资料确认该公司采用19纳米工艺制造LPDDR4和DDR4内存。
2019
更名为长鑫存储技术有限公司
[1]ChangXin Memory Technologies - Wikipediaen.wikipedia.org
公司采用长鑫存储技术有限公司的名称，并报告生产LPDDR4和DDR4 DRAM。
2018
19纳米LPDDR4试生产
[1]ChangXin Memory Technologies - Wikipediaen.wikipedia.org
据报道，该公司开始使用19纳米工艺试产8GB LPDDR4内存。
2017
宣布大型12英寸晶圆厂项目
[1]ChangXin Memory Technologies - Wikipediaen.wikipedia.org
宣布了建设一座大型300毫米晶圆制造设施的计划，随后进行了建设和设备安装。
2016
公司成立
[1]ChangXin Memory Technologies - Wikipediaen.wikipedia.org
该公司在合肥成立，名为Innotron，加入了一组旨在发展国内DRAM生产的中国内存项目。

产品与定位

一家具有战略重要性的中国DRAM制造商，专注于国内存储芯片能力、工艺开发、生产规模和下一代内存产品。

DRAM · 2019
DDR4 DRAM
DDR4是用于个人电脑、服务器、嵌入式系统和其他数字设备的主流同步DRAM世代。CXMT的早期商业生产包括采用19纳米工艺制造的DDR4器件。公司还提供DDR4内存模块，将产品从单个内存组件扩展到适合系统集成的组装产品。
低功耗DRAM · 2018
LPDDR4和LPDDR4X
LPDDR4系列产品是专为移动和节能电子产品设计的低功耗内存器件。LPDDR4是CXMT最早报告的产品之一，在早期制造阶段开始试产8GB器件。LPDDR4X是后来的变体，旨在降低功耗并支持移动、消费和嵌入式应用。
DRAM · 2025
DDR5 DRAM
DDR5是新一代系统内存，提供比DDR4更高的数据速率和架构改进。CXMT在2025年初左右开始销售DDR5 SDRAM，后来推出了更多DDR5产品。该产品线代表了公司努力在更新的计算机、服务器和数据密集型内存细分市场竞争，同时升级其工艺和制造能力。
低功耗DRAM
LPDDR5和LPDDR5X
LPDDR5和LPDDR5X是先进的低功耗DRAM系列，面向智能手机、移动计算、汽车电子和其他需要高带宽且能源受限的系统。CXMT将这些产品列为其产品组合，表明其从早期的LPDDR4世代向更当前的移动内存标准扩展。
先进DRAM
高带宽内存
高带宽内存（HBM）是一种专用DRAM技术，用于高性能处理器，包括人工智能工作负载的加速器。CXMT已投资HBM开发，据报道计划在上海建立后端封装设施。参考资料将此描述为一个扩展项目，而非完全成熟的商业产品线。

争议事件

2023
涉嫌三星DRAM商业机密转让
据报道，十名前三星员工因涉嫌窃取DRAM商业机密而被捕。报道将一些涉嫌招聘和技术转让活动与CXMT联系起来，并称一名涉嫌参与的个人后来成为开发高管。提供的参考资料明确指出，这些指控尚未针对CXMT得到证实。
来源

品牌决策

2026
投资HBM封装和生产能力战略
背景
对支持人工智能处理器的内存需求增加了HBM和先进封装的战略重要性。
采取的行动
据报道，CXMT在上海追求HBM后端封装设施，并目标在2026年底前生产。
后续影响
如果完成，该项目将使CXMT超越传统DRAM，但提供的材料并未确定商业生产。
来源
2025
扩展至DDR5 DRAM新品
背景
CXMT寻求从早期的DDR4和LPDDR4产品转向更新的内存世代和更高价值的应用。
采取的行动
公司开始销售并公开展示DDR5 DRAM产品。
后续影响
DDR5成为公司产品和产能扩张战略的核心部分。
来源
2025
为先进DRAM扩张计划筹集资金战略
背景
公司需要额外资金来升级晶圆生产线、开发先进DRAM并进行长期研究。
采取的行动
根据提供的参考资料，CXMT计划在上海科创板上市。
后续影响
拟议的上市成为制造升级和下一代内存研究的潜在资金来源；其最终状态需要根据当前交易所和监管记录确认。
来源
2019
将公司名称从Innotron改为长鑫存储技术有限公司战略
背景
该公司在开发国内DRAM生产的同时，面临中美半导体和技术紧张局势加剧。
采取的行动
它采用了长鑫存储技术有限公司的名称，并继续以CXMT身份进行生产开发。
后续影响
随着公司扩大DRAM制造和产品开发，新名称成为其既定的国际身份。
来源

近期事件

2026
长鑫存储计划于2026年底前推出首款4F²架构伺服器用DDR5 RDIMM[5]长鑫存储计划于2026年底前推出首款4F²架构伺服器用DDR5 RDIMMtechnews.tw
长鑫存储（CXMT）透露计划于2026年底前推出首款采用4F²结构的伺服器用DDR5 RDIMM记忆体模组，若按时发表将在全球尚未商业化的4F² DRAM技术领域取得先机。公司宣称记忆单元密度较G5提升33%，但尚未公布详细规格、良率数据或客户订单，业界对大规模量产可行性持审慎态度。
2026-10-21
长鑫存储宣布计划推出新一代DDR5 RDIMM产品[6]长鑫存储宣布计划推出新一代DDR5 RDIMM产品finance.sina.com.cn
报道日期：2026-10-21
长鑫存储宣布计划于2026年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。
2026-10-16
CXMT发布2026年前九个月业绩预告[7]CXMT发布2026年前九个月业绩预告cnbc.com
报道日期：2026-10-19
CXMT发布2026年前九个月业绩预告，预计归属于股东的净利润为1310亿元至1325亿元，营收约为2650亿元至2700亿元。
尚未确定
长鑫存储公布4F²单元结构研发关键进展，预计年末推出融合混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM[8]长鑫存储公布4F²单元结构研发关键进展，预计年末推出融合混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM163.com
报道日期：2026-10-12
在近日于上海举办的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储对外公布其4F²单元结构研发取得关键进展，预计于今年末推出融合4F²单元结构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
尚未确定
长鑫存储预告 2026 年底前推出新一代 4F² DDR5 RDIMM 产品，较三星路线提前约 2 年[9]长鑫存储预告 2026 年底前推出新一代 4F² DDR5 RDIMM 产品，较三星路线提前约 2 年technews.tw
长鑫存储（CXMT）近日透露其 4F² DRAM 架构研发取得新进展，并预告将于 2026 年底前推出结合 4F² 单元架构、混合键合等技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品，进度较三星采用该架构的路线提前约 2 年，产品从伺服器级记忆体切入，不再局限于低阶消费型市场。
2026-08-29
长鑫存储LPDDR6内存正式量产[10]长鑫存储LPDDR6内存正式量产163.com
报道日期：2026-08-30
长鑫存储8月29日发布消息，长鑫LPDDR6内存正式量产，小米18 Fold新折叠旗舰手机首发搭载。
2026-08-29
长鑫存储实现LPDDR6内存量产[11]长鑫存储实现LPDDR6内存量产finance.sina.com.cn
报道日期：2026-08-29
长鑫存储自主研发的LPDDR6内存芯片实现量产，峰值速率达12800Mbps、最高容量16GB，小米18 Fold将首发搭载。
2026-08-25
小米发布三款自研XRing芯片[12]小米发布三款自研XRing芯片europe.chinadaily.com.cn
报道日期：2026-08-25
小米在北京技术沟通会上发布XRing品牌下的三款自研芯片：面向智能手机的XRing O3旗舰AI SoC、XRing O100高带宽AI加速器和XRing D100智能驾驶芯片。三款芯片均已完成流片验证，O3将于9月首发于小米18 Fold，O100和D100计划2027年商用。
2026-08-24
小米发布XRING O3旗舰移动处理器[13]小米发布XRING O3旗舰移动处理器ibtimes.com.au
报道日期：2026-08-25
小米于8月24日发布其第二代自研旗舰系统级芯片XRING O3。该芯片采用台积电3纳米N3P工艺制造，被宣传为全球首款支持LPDDR6内存的移动处理器，安兔兔v11跑分超过522万分。该芯片将首发于小米18 Fold和小米Pad 9 Pro Max，两款设备均计划于9月发布。
尚未确定
铭瑄联合长鑫存储发布太极 G3 DDR4 内存[14]铭瑄联合长鑫存储发布太极 G3 DDR4 内存diy.it168.com
报道日期：2020-09-25
铭瑄联合长鑫存储发布太极系列 G3 3000MHz DDR4 内存，报道称其为纯国产产品。

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